侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。

[名词解释] 源漏穿通

[单选题]多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A . 二氧化硅B . 氮化硅C . 单晶硅D . 多晶硅

[判断题] 多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。A . 正确B . 错误

[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。

[问答题] 解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？

[单选题]通常用来提纯工业级Si生产多晶硅。( )A.B.C.HClD.

[单选题]通常用来提纯工业级Si生产多晶硅。( )A.B.C.HClD.

[单选题]N沟道场效应管的电流ID是由沟道中（）在漏源极之间电场作用下运动形成的。A.电子B.空穴C.电子和空穴

[问答题] 在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？

[问答题] 如何检查炉墙窜漏？