扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

[问答题] 什么是扩散工艺？

[单选题]扩散工艺现在广泛应用于制作（）。A . 晶振B . 电容C . 电感D . PN结

[单选题]晶片发射波束的扩散程度主要取决于（ ）。A．探伤仪类型B．晶片背衬的致密性C．频率和晶片尺寸D．脉冲长度

[单选题]晶片发射波束的扩散程度主要取决于（）。A .探伤仪类型B .晶片背衬的致密性C .频率和晶片尺寸D .脉冲长度

[多选题] 晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面。A . 粒子扩散B . 从气体源通过强迫性的对流传送C . 化学反应D . 被表面吸附E . 静电吸引

[填空题] 在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。

[单选题]光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A . 刻制图形B . 绘制图形C . 制作图形

[问答题] 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A . 600～750℃B . 900～1050℃C . 1100～1250℃D . 950～1100℃

[单选题]晶片共振波长是晶片厚度的（）。A .2倍B .1/2倍C .1倍D .1/4倍