对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

[问答题] 石油体积温度系数（f）？

[问答题,论述题] CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？

[单选题]采用石油体积系数和石油体积温度系数有争议时，以（）为准。A .所算结果多的B .石油体积温度系数C .石油体积系数D .另选系数

[问答题] 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？

[填空题] a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。

[问答题,论述题] 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

[单选题]扳倒井酒堆积温度以最高温度处（）℃为宜。A .35-40B .40-45C .45-50D .50-55

[问答题] 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

[问答题] 什么叫有效积温、活动积温、生物学最低温度？

[名词解释] 温度系数（Q10）