电子与通信技术题库

[问答题] 简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。

[填空题] 制作通孔的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）。

[名词解释] 非桥键氧

[判断题] 电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A . 正确B . 错误

[名词解释] 刻蚀

[填空题] 影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。

[问答题] 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。

[名词解释] 扩散定义

[问答题] 集成电路测试的分类？

[填空题] 集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。

[问答题] 简述引线框架材料？

[判断题] 关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。A . 正确B . 错误

[名词解释] 保形覆盖

[填空题] 硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。

[判断题] 对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。A . 正确B . 错误

[判断题] 在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。A . 正确B . 错误

[名词解释] 阈值曝光量

[问答题] 什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

[判断题] 扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。A . 正确B . 错误

[填空题] 刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。

[填空题] 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

[填空题] 硅片平坦化的四种类型分别是（）、部分平坦化、（）和（）。

[判断题] 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A . 正确B . 错误

[判断题] 与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。A . 正确B . 错误

[问答题] 为什么TTL与非门不能直接并联。

[判断题] 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。A . 正确B . 错误

[判断题] 表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。A . 正确B . 错误

[名词解释] 特征尺寸

[问答题] 其它表面组装元件主要是指哪些元件？这些元件各有什么特点？分别用在哪些场合？