光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

[判断题] 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A . 正确B . 错误

[问答题] 离子注入后为什么要进行退火？

[判断题] 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A . 正确B . 错误

[问答题] 离子注入后为什么要退火？

[判断题] 在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A . 正确B . 错误

[名词解释] 离子注入

[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

[判断题] 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A . 正确B . 错误

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量