离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

[判断题] 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A . 正确B . 错误

[判断题] 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A . 正确B . 错误

[问答题] 离子注入后为什么要退火？

[判断题] 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A . 正确B . 错误

[问答题] 离子注入后为什么要进行退火？

[问答题] 简述离子注入工艺中退火的主要作用？

[填空题] （）是指在确定的某种晶格中，某离子或原子部分被性质相似的它种离子或原子所替代占有。

[问答题,论述题] 热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

[单选题]将硅锭切割成硅片的过程中，多线切割对硅片造成的损伤层的厚度约为（）μm。A .10B .20C .5D . D.15