离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。

[问答题] 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

[名词解释] 离子注入

[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[问答题] 离子注入表面改性

[名词解释] 离子注入的沟道效应

[判断题] 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。A . 正确B . 错误

[问答题] 离子注入后为什么要退火？