A . 正确
B . 错误
[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[单选题]离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。A . 能量B . 剂量
[问答题] 扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么?与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么?
[填空题] 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。
[判断题] 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A . 正确B . 错误
[问答题,论述题] 热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。
[问答题] 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
[判断题] 在晶片制造中,有两种方法可以向硅片中引入杂质元素,即热扩散和离子注入。A . 正确B . 错误