扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？

[判断题] 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A . 正确B . 错误

[单选题]离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。A . 能量B . 剂量

[填空题] 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。

[填空题] 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（）和（）。

[问答题] 自掺杂效应与互扩散效应

[问答题,论述题] 热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，解释其原因。

[问答题,论述题] 什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

[问答题] 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

[判断题] 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。A . 正确B . 错误

[名词解释] “掺杂”