[名词解释]

预淀积

参考答案与解析:

相关试题

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?

[问答题,论述题] 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?

  • 查看答案
  • 淀积粘化

    [名词解释] 淀积粘化

  • 查看答案
  • 淀积层(illuvialhorizon)

    [问答题] 淀积层(illuvialhorizon)

  • 查看答案
  • 化学气相淀积

    [名词解释] 化学气相淀积

  • 查看答案
  • 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为()。

    [单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为()。A . 600~750℃B . 900~1050℃C . 1100~1250℃D . 950~1100℃

  • 查看答案
  • 物理气相淀积(pvd)

    [名词解释] 物理气相淀积(pvd)

  • 查看答案
  • 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。

    [判断题] 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤:预淀积、推进和激活。A . 正确B . 错误

  • 查看答案
  • 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。

    [单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。A . 1050~1200℃B . 900~1050℃C . 1100~1250℃D . 1200~1350℃

  • 查看答案
  • 二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。

    [填空题] 二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。

  • 查看答案
  • 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为

    [单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为宜。A . 4~6hB . 50min~2hC . 10~40minD . 5~10min

  • 查看答案
  • 预淀积