A . 喷涂磷酸水溶液后链式扩散
B . 三氯氧磷液态源扩散
C . 丝网印刷磷浆料后链式扩散
[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中,磷的扩散温度为()。A . 600~750℃B . 900~1050℃C . 1100~1250℃D . 950~1100℃
[问答题] 什么是两步扩散工艺,其两步扩散的目的分别是什么?
[单选题]扩散工艺现在广泛应用于制作()。A . 晶振B . 电容C . 电感D . PN结
[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()。A . 1050~1200℃B . 900~1050℃C . 1100~1250℃D . 1200~1350℃
[问答题] 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在950~1100℃的条件下,扩散时间大约()为宜。A . 4~6hB . 50min~2hC . 10~40minD . 5~10min
[单选题]在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900~1050℃的条件下,扩散时间大约()为宜。A . 4~6hB . 50min~2hC . 10~40minD . 5~10min
[多选题] 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。A . 内部的杂质分布B . 表面的杂质分布C . 整个晶体的杂质分布D . 内部的导电类型E . 表面的导电类型
[单选题]物质出入细胞的方式中,自由扩散区别于协助扩散的是()A . 由高浓度向低浓度扩散B . 需要载体C . 由低浓度向高浓度扩散D . 不需要载体