[填空题] 制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。
[判断题] 旋涂膜层是一种传统的平坦化技术，在0.35μm及以上器件的制造中常普遍应用于平坦化和填充缝隙。A . 正确B . 错误
[判断题] 在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。A . 正确B . 错误
[填空题] 扩散是物质的一个基本性质，描述了（）的情况。其发生有两个必要条件（）和（）。
[填空题] 列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
[问答题] 片式电感器的类型主要有几种？其结构各有什么特点？
[判断题] 硅上的自然氧化层并不是一种必需的氧化材料，在随后的工艺中要清洗去除。A . 正确B . 错误
[判断题] 栅氧一般通过热生长获得。A . 正确B . 错误
[判断题] 多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。A . 正确B . 错误
[填空题] 随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
[判断题] 大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。A . 正确B . 错误
[名词解释] ULSI对光刻的要求
[填空题] 硅片平坦化的四种类型分别是（）、部分平坦化、（）和（）。
[判断题] 纯净的半导体是一种有用的半导体。A . 正确B . 错误
[判断题] 在CMP设备中被广泛采用的终点检测方法是光学干涉终点检测。A . 正确B . 错误
[判断题] 化学机械平坦化，简称CMP，它是一种表面全局平坦化技术。A . 正确B . 错误
[填空题] 集成电路的制造分为五个阶段，分别为（）、（）、硅片测试和拣选、（）、终测。
[判断题] 扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。A . 正确B . 错误
[判断题] 对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。A . 正确B . 错误
[填空题] 制作通孔的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）。
[判断题] 各向异性的刻蚀剖面是在所有方向上（横向和垂直方向）以相同的刻蚀速率进行刻蚀。A . 正确B . 错误
[判断题] 关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。A . 正确B . 错误
[判断题] 电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。A . 正确B . 错误
[填空题] 刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
[判断题] 蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖，但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。A . 正确B . 错误