集成电路工艺原理题库

[填空题] 影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。

[问答题] 简述引线框架材料？

[名词解释] 阈值曝光量

[判断题] P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A . 正确B . 错误

[判断题] 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。A . 正确B . 错误

[填空题] 硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。

[问答题] 集成电路测试的分类？

[判断题] 扩散运动是各向同性的。A . 正确B . 错误

[填空题] 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。

[判断题] 与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性能，因此应用更为广泛。A . 正确B . 错误

[判断题] CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。A . 正确B . 错误

[判断题] 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A . 正确B . 错误

[名词解释] 水汽氧化

[问答题] 简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？并解释各种方式的详细内容。

[判断题] 表面起伏的硅片进行平坦化处理，主要采用将低处填平的方法。A . 正确B . 错误

[问答题] 其它表面组装元件主要是指哪些元件？这些元件各有什么特点？分别用在哪些场合？

[名词解释] 特征尺寸

[判断题] 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。A . 正确B . 错误

[问答题] 载带自动焊的关键技术有哪些？

[名词解释] LOCOS

[填空题] 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。

[判断题] APCVD反应器中的硅片通常是平放在一个平面上。A . 正确B . 错误

[名词解释] SOS

[问答题] 解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？

[判断题] 没有CMP，就不可能生产甚大规模集成电路芯片。A . 正确B . 错误

[名词解释] 分凝系数

[判断题] 不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A . 正确B . 错误

[判断题] CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A . 正确B . 错误