[多选题] 铜与铝相比较，其性质有（）。A . 铜的电阻率比铝小B . 铝的熔点较高C . 铝的抗电迁移能力较弱D . 铜与硅的接触电阻较小E . 铜可以在低温下淀积
[单选题]铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。A . 等离子体刻蚀B . 反应离子刻蚀C . 湿法刻蚀D . 溅射刻蚀
[单选题]下面那一种薄膜工艺中底材会被消耗（）。A . 薄膜沉积B . 薄膜成长C . 蒸发D . 溅射
[问答题] 如何正确选用机电元件？
[单选题]刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A . 选择性B . 均匀性C . 轮廓D . 刻蚀图案
[问答题] 示波管主要由哪几部分组成？对示波管的要求有哪些？
[多选题] 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。A . 光刻胶B . 衬底C . 表面硅层D . 扩散区E . 源漏区
[单选题]在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。A . 单晶硅刻蚀B . 多晶硅刻蚀C . 二氧化硅刻蚀D . 氮化硅刻蚀
[多选题] 下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A . 二氧化硅氮化硅B . 多晶硅硅化金属C . 单晶硅多晶硅D . 铝铜E . 铝硅
[单选题]化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。A . LVDB . PEDC . CVDD . PVD
[问答题] 试说明光电二极管的结构和工作原理是什么？
[问答题] 试说明光电晶体管的结构和工作原理是什么？
[多选题] 以（）等两层材料所组合而成的导电层便称为Polycide。A . 单晶硅B . 多晶硅C . 硅化金属D . 二氧化硅E . 氮化硅
[单选题]在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A . 铜B . 铝C . 金D . 二氧化硅
[问答题] 数字集成电路的输入信号电平可否超过它的电源电压范围？
[问答题] 常用绝缘材料的性能怎样？如何选择绝缘材料？
[问答题] 电子产品生产的主要工艺流程是怎样的？
[问答题] 选用电源软导线时应该考虑哪些因素？
[问答题] 为什么要使用助焊剂？对助焊剂的要求有哪些？
[问答题] 请总结电子装配常用的其它配件、零件及材料是什么？
[单选题]为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。A . 液氮冷阱B . 净化阱C . 抽气阱D . 无气泵
[问答题] 简述集成电路按功能分类的基本类别是什么？
[单选题]请在下列选项中选出硅化金属的英文简称：（）。A .OxideB .NitrideC .SilicideD . D.Polycide
[单选题]大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A . 薄膜厚度B . 图形宽度C . 图形长度D . 图形间隔
[单选题]激光退火目前有（）激光退火两种。A . 一般和特殊B . 脉冲和连续C . 高温和低温D . 快速和慢速
[单选题]为了解决中性束对注入均匀性的影响，可在系统中设有（），使离子束偏转后再达到靶室。A . 磁分析器B . 正交电磁场分析器C . 静电偏转电极D . 束流分析仪
[问答题] TFTLCD显示器的主要特点有哪些？
[问答题] 什么是焊粉？常用焊粉的金属成分会对温度特性及焊膏用途产生什么样的影响？
[单选题]早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。A . 重离子加速器B . 热扩散炉C . 质子分析仪D . 轻离子分析器
[问答题] SMT再流焊中使用的膏状焊料含有什么成分？有哪些品种？