[问答题] 显像管由哪几部分组成？显像管是如何分类的？
[问答题] 干簧继电器和电磁式继电器相比有哪些特点？
[问答题] 请分别说明动圈式传声器、普通电容式传声器、驻极体电容式传声器的主要特点是什么？
[单选题]由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。A . 刻蚀速率B . 选择性C . 各向同性D . 各向异性
[问答题] 请说明电动式扬声器和压电陶瓷扬声器的主要特点是什么？
[问答题] 变压器的作用是什么？请说明变压器是如何分类的？变压器的种类、特点和用途。
[问答题] 对集成电路封装形式进行小结，并收集信息是什么？
[问答题] 如何选用半导体分立器件？
[问答题] 液晶显示器件具有哪些优点？液晶显示器件的特征是什么？
[单选题]刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。A . 二氧化硅B . 氮化硅C . 光刻胶D . 去离子水
[问答题] 试说明发光二极管的结构和工作原理。发光二极管的特征参数和极限参数有哪些？
[单选题]电离气体与普通气体的不同之处在于：后者是由电中性的分子或原子组成的，前者则是（）和中性粒子组成的集合体。A . 离子B . 原子团C . 电子D . 带电粒子
[单选题]请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称：（）。A .OxideB .NitrideC .SilicideD . D.Polycide
[单选题]晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A . n型掺杂区B . P型掺杂区C . 栅氧化层D . 场氧化层
[多选题] （）专指薄膜形成的过程中，并不消耗晶片或底材的材质。A . 薄膜成长B . 蒸发C . 薄膜沉积D . 溅射E . 以上都正确
[问答题] 选用电声元件时应注意哪些问题？
[问答题] 半导体分立器件如何分类？
[单选题]多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A . 二氧化硅B . 氮化硅C . 单晶硅D . 多晶硅
[单选题]在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。A . 气体B . 等离子体C . 固体D . 液体
[单选题]在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体A . 栅氧化层B . 沟槽C . 势垒D . 场氧化层
[单选题]（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。A . 刻蚀速率B . 刻蚀深度C . 移除速率D . 刻蚀时间
[问答题] 继电器如何分类？选用电磁式继电器应考虑的主要参数是哪些？
[单选题]单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A . 氮化硅B . 二氧化硅C . 光刻胶D . 多晶硅
[单选题]不可以对SiO2进行干法刻蚀所使用的气体是（）。A .CHF3B .C2F6C .C3F8D . D.HF
[单选题]为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。A . 多晶硅B . 单晶硅C . 铝硅铜合金D . 铜
[问答题] 选择和使用固态继电器应注意哪些问题？
[多选题] 在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。A . MOS栅极B . 保护性元件C . 电容器极板D . 制造只读存储器PROME . 晶圆背面电镀
[多选题] 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。A . CF4B . BCl3C . Cl2D . F2E . CHF3
[单选题]溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的（）。A . 鸟嘴B . 空洞C . 裂痕D . 位错
[问答题] 总结使用集成电路的注意事项是什么？