[问答题] 什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是什么？哪种金属常被用作阻挡层金属？
[问答题] 若P型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？若n型硅中掺入受主杂质，EF是升高还是降低？
[问答题] STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？
[单选题]电子在晶体中的共有化运动是指（）。A . 电子在晶体中各处出现的几率相同B . 电子在晶体原胞中各点出现的几率相同C . 电子在晶体各原胞对应点出现的几率相同D . 电子在晶体各原胞对应点的相位相同
[问答题] 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
[问答题] 例举双大马士革金属化过程的10个步骤。
[问答题] 描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
[单选题]在光电转换过程中，Si比GaAs量子效率低，因为其（）。A . 禁带较窄B . 禁带较宽C . 禁带是间接跃迁型D . 禁带是直接跃迁型
[单选题]半导体的载流子扩散系数大小决定于其（）。A . 复合机构B . 能带结构C . 晶体结构D . 散射机构
[问答题] 解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。
[问答题] 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
[问答题] 什么是导体、绝缘体、半导体？
[问答题] 解释投射电子能显微镜。
[问答题] 半导体芯片制造工艺对水质有什么要求？
[问答题] 解释什么是暗场掩模板。
[问答题] 例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
[问答题] 漂移运动和扩散运动有什么不同？
[问答题] 什么是电导率和电阻率？
[问答题] 何谓PN结的击穿特性？
[单选题]若一种材料的电阻率随温度升高先下降后升高，则该材料是（）。A . 本征半导体B . 金属C . 化合物半导体D . 掺杂半导体
[问答题] 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
[问答题] 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
[问答题] 给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么？
[问答题] 离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？
[问答题] 离子注入后为什么要进行退火？
[问答题] 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明。
[问答题] 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。