半导体材料题库

[问答题] 一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓度，这一平衡浓度就称为什么？

[单选题]如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.A . 1/（NA-ND.eｕpB . 1/（NA-ND.eC.up/（NA-ND.eC . 1/（NA+ND.eｕp

[名词解释] 短二极管

[单选题]一下哪一种属于金刚石结构（）.A . SiB . CuC . FeD . Al

[问答题] 注入离子在耙内的能量损失的过程？

[问答题] 什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？

[名词解释] 扩散电阻

[单选题]固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。A .300B .400C .500D .600

[名词解释] 非本征光电导

[单选题]半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。A . 70%B . 80%C . 90%D . 60%

[名词解释] 产生电流

[名词解释] 超突变结

[名词解释] 场致发光

[问答题] 用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电？

[单选题]当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.A . 上升B . 下降C . 不变D . 不确定

[问答题] 氧化物有哪两个生长阶段？

[单选题]下列属于单晶硅片的一般形状（）.A . 方形B . 三角形C . 椭圆形D . 梯形

[名词解释] 突变结近似

[单选题]制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.A . 汽-固B . 液-固C . 固-固D . 汽-液

[问答题] 按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？

[单选题]通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。A .温度场B .磁场C .重力场D .电场

[名词解释] 反偏

[名词解释] 反型异质结

[单选题]在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是（）.A . 上部和边缘部分B . 中部和边缘部分C . 上部和底部D . 底部和边缘部分

[单选题]下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。A .氧B .硼C .温度D .湿度

[单选题]测量硅中氧浓度常用的方法是（）.A . 带电粒子活化法B . 熔化分析法C . 离子质谱法D . 红外光谱分析法

[问答题] 什么是杂质分凝效应和分凝系数？

[单选题]尽量提高晶转可以改善晶体中杂质分布的径向均匀性，如果晶转过高，会导致固液界面的形状（）。A .形状太凹B .形状太凸C .过于平整D .无变化

[问答题] 自掺杂效应与互扩散效应

[单选题]下列不属于非晶硅优点的是（）.A . 制备方法简单B . 工艺成本低C . 制备温度高D . 可大面积制备