[问答题] 阐述铜金属化面临的三大问题，如何解决这些问题？
[填空题] 在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。
[问答题] 在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是？
[判断题] 刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。A . 正确B . 错误
[问答题] 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线？
[问答题] 耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
[判断题] 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。A . 正确B . 错误
[判断题] 接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。A . 正确B . 错误
[问答题] 倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？
[单选题]有关右心房的说法，错误的是（）。A . 构成心右缘B . 右心耳向左前方突出C . 有四个入口D . 入口包括冠状窦口
[问答题] 比较各种芯片互联方法的优缺点？
[问答题] 为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么地方？为什么？
[判断题] 快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。A . 正确B . 错误
[填空题] CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。
[填空题] 选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。
[问答题] 片式瓷介电容器主要有哪几种类型？各有什么主要特点？
[判断题] 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A . 正确B . 错误
[填空题] 终点检测是指（）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（）和（）。
[判断题] 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A . 正确B . 错误
[判断题] 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A . 正确B . 错误
[判断题] 85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A . 正确B . 错误
[填空题] 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
[问答题] 为什么基区薄层电阻需要修正？
[填空题] 写出三种半导体制造业的金属和合金（）、（）和（）。