电子与通信技术题库

[填空题] 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。

[判断题] 步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。A . 正确B . 错误

[判断题] 晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A . 正确B . 错误

[问答题] 简述MCM的概念、分类与特性？

[问答题] OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题？

[问答题] 简述多层印制电路基板制造工艺？

[名词解释] 电子阻止机制

[判断题] 掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。A . 正确B . 错误

[问答题] 测试过程4要素？

[填空题] 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。

[判断题] 半导体级硅的纯度为99.9999999%。A . 正确B . 错误

[名词解释] 有限表面源扩散

[名词解释] 真空蒸发

[问答题] 简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。

[问答题] 简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？

[问答题] 为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？

[名词解释] 选择性外延

[名词解释] APCVD（常压CVD）

[名词解释] Moorelaw

[问答题] 现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？

[判断题] 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A . 正确B . 错误

[名词解释] 湿法腐蚀

[判断题] 曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。A . 正确B . 错误

[判断题] CD越小，源漏结的掺杂区越深。A . 正确B . 错误

[名词解释] 直流辉光放电

[问答题] 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度，LPCVD和APCVD各属于哪种类型？

[填空题] 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

[判断题] 硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A . 正确B . 错误

[判断题] 大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。A . 正确B . 错误

[判断题] 硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。A . 正确B . 错误