电子与通信技术题库

[名词解释] 化学气相淀积

[问答题] 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的？

[判断题] 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A . 正确B . 错误

[名词解释] 静态功耗

[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误

[判断题] 在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。A . 正确B . 错误

[判断题] 溅射是个化学过程，而非物理过程。A . 正确B . 错误

[问答题] 简述MCM的测试技术？

[名词解释] 玻璃回流

[问答题] 双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？

[问答题] 采用提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备的硅片，哪种方法质量更高，为什么？那么目前8英寸以上的硅片，经常选择哪种方式制备，为什么？

[填空题] 制作钨塞的主要工艺步骤是：1、（）；2、（）；3、（）；4、磨抛钨。

[填空题] 热扩散利用（）驱动杂质穿过硅的晶体结构，这种方法受到（）和（）的影响。

[问答题] 凡进入300～350km/h客运专线进行施工（维修、检查）时，必须执行什么制度？

[名词解释] Chipless

[问答题] 什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？

[问答题] 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？

[名词解释] 网络改变剂

[判断题] 氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。A . 正确B . 错误

[问答题] 为什么硅片热氧化结束时通常还要进行氢气或氢－氮混合气体退火？

[问答题] 在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A . 正确B . 错误

[填空题] 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。

[名词解释] 光刻三要素

[问答题] 简述BGA的安装互联技术？

[判断题] 二氧化硅是一种介质材料，不导电。A . 正确B . 错误

[问答题] 简述模塑料？

[问答题] 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。

[名词解释] 干氧

[问答题] 按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？