电子与通信技术题库

[问答题] 插装元器件的结构特点及应用？

[判断题] CD是指硅片上的最小特征尺寸。A . 正确B . 错误

[名词解释] 蒸发镀膜

[问答题] 在半导体制造技术中，高k介质和低k介质各自应用在什么地方，为什么？

[名词解释] RTA（RTP）

[问答题] 表面组装电阻器主要有哪几类？各有什么特点？

[问答题] 简述MCM的组装技术？

[填空题] 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。

[名词解释] 异质外延

[判断题] 平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。A . 正确B . 错误

[填空题] 集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。

[问答题] 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？

[名词解释] 临界曝光量

[问答题] 光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

[问答题] 片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别？

[判断题] 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。A . 正确B . 错误

[填空题] 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

[问答题] 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

[判断题] 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A . 正确B . 错误

[名词解释] 桥键氧

[判断题] 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A . 正确B . 错误

[判断题] CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，可能引起同一层金属之间的断路。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。A . 正确B . 错误

[问答题] 堆叠封装的发展趋势？

[问答题] 以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？

[名词解释] SOI

[填空题] 扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。

[问答题] 按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写。

[名词解释] 外延片

[填空题] 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。