电子与通信技术题库

[判断题] 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。A . 正确B . 错误

[判断题] LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A . 正确B . 错误

[名词解释] 逻辑摆幅

[判断题] 热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。A . 正确B . 错误

[填空题] 目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。

[问答题] 简述MCM的设计？

[名词解释] 短沟道效应（Short Channel Effect）

[问答题] 简述CSP的封装技术？

[问答题] 矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？

[问答题] 什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？

[判断题] 虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。A . 正确B . 错误

[判断题] 传统的0.25μm工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化。A . 正确B . 错误

[判断题] 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A . 正确B . 错误

[名词解释] 关门电平

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[名词解释] 预淀积

[问答题] 集成电路中常用的电容有哪些？

[名词解释] 电子碰撞

[问答题] 客运专线区段接发列车作业人员（含客运、公安人员）必须站在什么位置接发列车？

[问答题] 简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。

[判断题] 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A . 正确B . 错误

[问答题] 如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？

[判断题] 传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。A . 正确B . 错误

[名词解释] 杂质固溶度

[问答题] 简述焊接材料？

[判断题] 冶金级硅的纯度为98%。A . 正确B . 错误

[名词解释] LPCVD（低压CVD）

[名词解释] 平均投影射程Rp

[名词解释] 分辨率R

[名词解释] 两步法扩散