集成电路工艺原理题库

[判断题] CD是指硅片上的最小特征尺寸。A . 正确B . 错误

[判断题] 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。A . 正确B . 错误

[判断题] 与干法刻蚀相比，湿法腐蚀的好处在于对下层材料具有高的选择比，对器件不会带来等离子体损伤，并且设备简单。A . 正确B . 错误

[判断题] 高密度等离子体刻蚀机是为亚0.25微米图形尺寸而开发的最重要的干法刻蚀系统。A . 正确B . 错误

[判断题] 刻蚀的高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。A . 正确B . 错误

[问答题] 在半导体制造技术中，高k介质和低k介质各自应用在什么地方，为什么？

[名词解释] SOI

[判断题] 接触是由导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。A . 正确B . 错误

[填空题] 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。

[判断题] 离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。A . 正确B . 错误

[名词解释] 临界曝光量

[问答题] 为什么栅介质层的厚度减少有一个大致的极限？为什么现在需要高K值（介电常数）的栅介质？低K介质用在什么地方？为什么？

[名词解释] RTA

[问答题] 片式瓷介电容器主要有哪几种类型？各有什么主要特点？

[名词解释] 自掺杂效应

[填空题] 选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。

[填空题] 扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散和（）扩散。

[问答题] 光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？

[问答题] 比较各种芯片互联方法的优缺点？

[问答题] 简述引线材料？

[问答题] 片式钽电解电容和铝电解电容有什么主要特点和主要差别？

[填空题] 在半导体制造业中，最早的互连金属是（），在硅片制造业中最普通的互连金属是（），即将取代它的金属材料是（）。

[判断题] CMP带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区，可能引起同一层金属之间的断路。A . 正确B . 错误

[判断题] 用于亚0.25μm工艺的选择性氧化的主要技术是浅槽隔离。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。A . 正确B . 错误

[问答题] 表面组装电阻器主要有哪几类？各有什么特点？

[判断题] 平滑是一种平坦化类型，它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜，但高度没有显著变化。A . 正确B . 错误

[问答题] 阐述铜金属化面临的三大问题，如何解决这些问题？

[问答题] 堆叠封装的发展趋势？

[问答题] 倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？