集成电路工艺原理题库

[名词解释] LPCVD（低压CVD）

[填空题] CZ直拉法的目的是（）。

[问答题] 简述MCM的测试技术？

[判断题] 在半导体产业界第一种类型的CVD是APCVD。A . 正确B . 错误

[名词解释] 分辨率R

[判断题] 二氧化硅是一种介质材料，不导电。A . 正确B . 错误

[问答题] 简述焊接材料？

[名词解释] 微电子

[判断题] 在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A . 正确B . 错误

[名词解释] 两步法扩散

[判断题] 氧化物有两个生长阶段来描述，分别是线性阶段和抛物线阶段。A . 正确B . 错误

[名词解释] Chipless

[判断题] 传统互连金属线的材料是铝，即将取代它的金属材料是铜。A . 正确B . 错误

[填空题] 热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。

[问答题] 简述模塑料？

[问答题] 化学机械平坦化的工作机理是什么？与传统平坦化方法相比，它有哪些优点？

[判断题] 刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。A . 正确B . 错误

[判断题] 溅射是个化学过程，而非物理过程。A . 正确B . 错误

[名词解释] 级联碰撞

[名词解释] 玻璃回流

[填空题] 芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

[判断题] 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。A . 正确B . 错误

[名词解释] 干氧

[判断题] 在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。A . 正确B . 错误

[判断题] 冶金级硅的纯度为98%。A . 正确B . 错误

[填空题] 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。

[名词解释] PECVD（等离子增强CVD）

[判断题] 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，即外延层。A . 正确B . 错误

[判断题] 暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。A . 正确B . 错误

[填空题] 晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。