集成电路工艺原理题库

[问答题] 简述MCM的组装技术？

[填空题] 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤（）、（）和（）。

[名词解释] 桥键氧

[名词解释] 异质外延

[名词解释] RTA（RTP）

[填空题] 集成电路的发展时代分为（）、中规模集成电路MSI、（）、超大规模集成电路VLSI、（）。

[填空题] 终点检测是指（）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（）和（）。

[判断题] 快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。A . 正确B . 错误

[名词解释] STI

[填空题] 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。

[名词解释] 外延片

[填空题] CMP是一种表面（）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（），并同时施加（）。

[名词解释] 互连意

[问答题] 简述MCM的设计？

[问答题] 现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？

[判断题] 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A . 正确B . 错误

[判断题] 干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A . 正确B . 错误

[名词解释] APCVD（常压CVD）

[问答题] 简述CSP的封装技术？

[问答题] 什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？

[问答题] 矩形片式电阻由哪几部分组成？各部分的主要作用是什么？

[判断题] 离子注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。A . 正确B . 错误

[判断题] 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。A . 正确B . 错误

[判断题] 大马士革工艺来源于一种类似精制的镶嵌首饰或艺术品的图案。A . 正确B . 错误

[判断题] 掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。A . 正确B . 错误

[名词解释] 真空蒸发

[判断题] LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃，采用增强的等离子体，增加淀积能量，即低压和低温。A . 正确B . 错误

[名词解释] 湿法腐蚀

[填空题] 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。