物理学题库

[问答题] 什么是扩散工艺？

[名词解释] 反向饱和电流

[名词解释] 线性缓变结

[名词解释] 冶金

[名词解释] 载流子注入

[问答题] 为什么电化学腐蚀会产生电位差？它的原因是什么？

[单选题]下列铸造多晶硅的制备方法中,（）没有坩埚的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。A . 布里曼法B . 热交换法C . 电磁铸锭法D . 浇铸法

[名词解释] 存储时间

[问答题] 一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓度，这一平衡浓度就称为什么？

[问答题] 什么是外延层？为什么在硅片上使用外延层？

[单选题]固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。A .300B .400C .500D .600

[名词解释] 扩散电阻

[名词解释] 短二极管

[问答题] 注入离子在耙内的能量损失的过程？

[名词解释] 非本征光电导

[单选题]下列属于单晶硅片的一般形状（）.A . 方形B . 三角形C . 椭圆形D . 梯形

[问答题] 用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电？

[名词解释] 超突变结

[单选题]半导体工业所用的硅单晶（）是用CZ法生长的。A . 70%B . 80%C . 90%D . 60%

[名词解释] 场致发光

[单选题]当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.A . 上升B . 下降C . 不变D . 不确定

[问答题] 氧化物有哪两个生长阶段？

[名词解释] 反偏

[名词解释] 反型异质结

[单选题]下列与硼氧复合体缺陷无关的是（）。A .氧B .硼C .温度D .湿度

[问答题] 按制备时有无使用坩埚分为两类，有坩埚分为？无坩埚分为？

[单选题]通过（）改变驱动力场，借以控制生长系统中的成核率，这是晶体生长工艺中经常使用的方法。A .温度场B .磁场C .重力场D .电场

[单选题]在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是（）.A . 上部和边缘部分B . 中部和边缘部分C . 上部和底部D . 底部和边缘部分

[单选题]测量硅中氧浓度常用的方法是（）.A . 带电粒子活化法B . 熔化分析法C . 离子质谱法D . 红外光谱分析法

[单选题]制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.A . 汽-固B . 液-固C . 固-固D . 汽-液